PRODUCT CLASSIFICATION
從實驗角度提出的管式爐選購建議及技巧:
根據(jù)溫度選擇管式爐
A、選擇工作溫度時,請注意儀器所能保持的高溫度(<1小時)和儀器能連續(xù)工作的溫度(安全、連續(xù)使用的溫度)。
B、儀器使用的加熱元件限制了加熱爐的大工作溫度,目前科晶加熱元件可分為四類:
(1)250 ~ 1250℃ 采用電阻絲加熱元件或紅外燈管加熱元件,高加熱溫度1200℃,長時間使用1100℃,采用K型熱電偶測溫(如果客戶需要也可更換為S熱偶)。
(2)1300 ~ 1600℃ 采用碳化硅加熱元件,采用S型熱電偶測溫。
(3)1600 ~ 1800℃ 采用MoSi2加熱元件(禁止長時間在800℃以下加熱),采用B型熱電偶測溫。
2、根據(jù)樣品大小選擇坩堝→爐管管徑→管式爐
A、坩堝選擇(嚴禁不用坩堝直接將樣品放入常規(guī)爐管)
a.石英坩堝:≤1200℃使用石英管,熱處理溫度超過600℃時,請不要用氧化鋁坩堝。
b.氧化鋁坩堝:≤1800℃使用剛玉管,熱處理溫度超過900℃時,請不要用莫來石坩堝。
c.石墨坩堝:≤ 2300℃
B、管徑的選擇
(1)選擇好坩堝后,根據(jù)坩堝裝載樣品后的體積選擇合適的爐管管徑(一般買爐子會標配有加熱爐管)。
a.石英管 ≤1200℃ (真空環(huán)境下高1000℃)
b.剛玉管 ≤1800℃ (剛玉管不建議真空環(huán)境下使用)
C、科晶管式爐管徑與坩堝尺寸估算表
根據(jù)功能選擇加熱爐
管式爐為基礎(chǔ)加熱系統(tǒng),您可以根據(jù)不同的需求選擇成套科晶系統(tǒng),如CVD、 PECVD、HPCVD、ALD、石墨烯和二維材料生長系統(tǒng)等。
例如:
(1)生長石墨烯/PECVD系統(tǒng),整個系統(tǒng)包括加熱爐系統(tǒng)、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、通風系統(tǒng)、氫氣報警系統(tǒng)。
(2)立式管式爐:加熱管垂直放置,以懸吊樣品的方式,為樣品提供淬火。
(3)RTP(快速熱處理加熱爐):可以對樣品進行快速加熱和快速冷卻。
例如:
a.快速退火管式爐,快50℃/s升溫速度,紅外燈管加熱。
b.迷你型快速加熱冷卻爐,加熱爐加熱到某一溫度后,滑至樣品所在區(qū)域,可以提高升溫速度,熱處理結(jié)束,將爐體移開,使樣品所在區(qū)域暴露在爐膛外快速冷卻。(4)高溫高壓爐/真空爐:特殊設(shè)計的鎳鉻合金和不銹鋼爐管,對樣品進行高溫高壓和真空處理。
(4)高溫高壓爐/真空爐:特殊設(shè)計的鎳鉻合金和不銹鋼爐管,對樣品進行高溫高壓和真空處理。
(5)旋轉(zhuǎn)管式爐:爐管旋轉(zhuǎn)式結(jié)構(gòu)可以更均勻的熱處理粉末,同時也可以達到粉末均勻包覆的效果。
(6)氫氣爐/氣氛爐:氫氣處理或其他危險氣體的實驗,請和銷售技術(shù)人員提前說明。不建議使用普通管式爐做危險實驗。
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